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PDF TK12A50E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TK12A50E
Descripción MOSFETs
Fabricantes Toshiba Semiconductor　
Logotipo Toshiba Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! TK12A50E Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)
TK12A50E
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.40 Ω (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 500 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.2 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK12A50E
TO-220SIS
1: Gate
2: Drain
3: Source
1 2013-02-13
Rev.2.0

1 page




TK12A50E pdf
8. Characteristics Curves (Note)
TK12A50E
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 VDSS - Ta
Fig. 8.6 RDS(ON) - ID
5 2013-02-13
Rev.2.0

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TK12A50DField Effect TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
TK12A50EMOSFETsToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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