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AP9563GH 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9563GH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9563GH 자료 제공

부품번호 AP9563GH 기능
기능 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9563GH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9563GH 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9563GH/J
Pb Free Plating Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Lower On-resistance
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
Description
G
D
S
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-
industrial surface mount applications and suited for low voltage
applications such as DC/DC converters. The through-hole version
(AP9563GJ) is available for low-profile applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
-40V
40mΩ
-26A
GD
S TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Rating
-40
±25
-26
-16
-64
44.6
0.36
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Max.
Max.
Value
2.8
110
Units
/W
/W
Data and specifications subject to change without notice
200227041




AP9563GH pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9563GH/J
12
V DS =-32V
10 I D =-12A
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
10000
C iss
1000
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
100
10
1ms
T c =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
DC
1
0.1 1
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
-4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform

4페이지












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