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부품번호 | SSM3K37FS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
SSM3K37FS
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K37FS
○ High Speed Switching Applications
○ Analog Switch Applications
Unit: mm
• 1.5Vdrive
• Low ON-resistance
RDS(ON) = 5.60 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
RDS(ON) = 4.05 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
RDS(ON) = 3.02 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
RDS(ON) = 2.20 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-Source voltage
VDSS 20 V
Gate-Source voltage
VGSS
± 10
V
Drain current
Power dissipation
DC
Pulse
ID
IDP
PD
200
mA
400
100 mW
SSM
1. Gate
2. Source
3. Drain
Channel temperature
Storage temperature range
Tch 150 °C
Tstg
−55 to 150
°C
JEDEC
JEITA
―
―
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
TOSHIBA
2-2H1B
Weight: 2.4mg(typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
3
SU
12
Equivalent Circuit (Top View)
3
12
Start of commercial production
2011-01
1 2014-03-01
1000
300
Common source
VDS = 3 V
Ta = 25°C
Pulse test
|Yfs| – ID
100
30
10
1 10 100
Drain current ID (mA)
1000
C – VDS
100
50
30
Ciss
10
5
3 Common source
Ta = 25°C
f = 1 MHz
VGS = 0 V
1
0.1
1
Coss
Crss
10
Drain-source voltage VDS (V)
100
PD – Ta
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta (°C)
SSM3K37FS
IDR – VDS
1000
100
25 °C
10
Ta =100 °C
1
Common source
VGS = 0 V
Pulse test
D
G IDR
−25 °C
0.1 S
0
–0.5
–1.0
–1.5
Drain-source voltage VDS (V)
1000
toff
tf
100
t – ID
Common source
VDD = 10 V
VGS = 0 to2.5 V
Ta = 25 °C
RG = 50Ω
ton
10
tr
1
1 10 100
Drain current ID (mA)
1000
4 2014-03-01
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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