Datasheet.kr   

SSM3K37FS 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SSM3K37FS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SSM3K37FS 자료 제공

부품번호 SSM3K37FS 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


SSM3K37FS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SSM3K37FS 데이터시트, 핀배열, 회로
SSM3K37FS
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K37FS
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Unit: mm
1.5Vdrive
Low ON-resistance
RDS(ON) = 5.60 (max) (@VGS = 1.5 V)
RDS(ON) = 4.05 (max) (@VGS = 1.8 V)
RDS(ON) = 3.02 (max) (@VGS = 2.5 V)
RDS(ON) = 2.20 (max) (@VGS = 4.5 V)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-Source voltage
VDSS 20 V
Gate-Source voltage
VGSS
± 10
V
Drain current
Power dissipation
DC
Pulse
ID
IDP
PD
200
mA
400
100 mW
SSM
1. Gate
2. Source
3. Drain
Channel temperature
Storage temperature range
Tch 150 °C
Tstg
55 to 150
°C
JEDEC
JEITA
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
TOSHIBA
2-2H1B
Weight: 2.4mg(typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
3
SU
12
Equivalent Circuit (Top View)
3
12
Start of commercial production
2011-01
1 2014-03-01




SSM3K37FS pdf, 반도체, 판매, 대치품
1000
300
Common source
VDS = 3 V
Ta = 25°C
Pulse test
|Yfs| – ID
100
30
10
1 10 100
Drain current ID (mA)
1000
C – VDS
100
50
30
Ciss
10
5
3 Common source
Ta = 25°C
f = 1 MHz
VGS = 0 V
1
0.1
1
Coss
Crss
10
Drain-source voltage VDS (V)
100
PD – Ta
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta (°C)
SSM3K37FS
IDR – VDS
1000
100
25 °C
10
Ta =100 °C
1
Common source
VGS = 0 V
Pulse test
D
G IDR
25 °C
0.1 S
0
–0.5
–1.0
–1.5
Drain-source voltage VDS (V)
1000
toff
tf
100
t – ID
Common source
VDD = 10 V
VGS = 0 to2.5 V
Ta = 25 °C
RG = 50Ω
ton
10
tr
1
1 10 100
Drain current ID (mA)
1000
4 2014-03-01

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ SSM3K37FS.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SSM3K37FS

Field Effect Transistor

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵