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부품번호 | SSM3K7002BFS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
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전체 5 페이지수
SSM3K7002BFS
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形(U-MOSⅣ)
SSM3K7002BFS
高速スイッチング
アナログスイッチ
単位: mm
• 小型パッケージで高密度実装に最適
• オン抵抗が低い
: RDS(ON) = 3.3 Ω (最大) (@VGS = 4.5 V)
: RDS(ON) = 2.6 Ω (最大) (@VGS = 5 V)
: RDS(ON) = 2.1 Ω (最大) (@VGS = 10 V)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
60
V
ゲート・ソース間電圧
VGSS
± 20
V
DC
ドレイン電流
Pulse
ID
200
mA
IDP 800
許 容 損 失 PD (注 1) 150
mW
チャネル温度
Tch
150 °C
保
存
温
度 Tstg
−55 ~ 150
°C
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計
をお願いします。
注 1: FR4 基板実装時
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mm, Cu Pad: 0.36 mm2 × 3)
1. ゲート
2. ソース
3. ドレイン
JEDEC
―
JEITA
―
東芝
2-2H1B
質量: 2.4 mg (標準)
現品表示
3
内部接続 (top view)
3
NM
12
12
1 2009-11-27
SSM3K7002BFS
1
ソース接地
VDS = 10 V
0.3 Ta = 25°C
0.1
|Yfs| – ID
0.03
0.01
0.003
0.001
1
10 100
ドレイン電流 ID (mA)
1000
C – VDS
100
50
30
Ciss
10
5
3
ソース接地
Ta = 25°C
f = 1 MHz
VGS = 0 V
1
0.1
1
Coss
Crss
10 100
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
PD – Ta
250
FR4 基板実装時.
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.36 mm2 × 3)
200
150
100
50
0
0 40 80 120 160
周囲温度 Ta (°C)
1000
800
ソース接地
VGS = 0 V
Ta = 25°C
D
IDR – VDS
G
600
IDR
S
400
200
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
1000
tf
td(off)
100
t – ID
ソース接地
VDD = 30 V
VGS = 0 ~ 10 V
Ta = 25 °C
10
td(on)
tr
1
1
10 100
ドレイン電流 ID (mA)
1000
4 2009-11-27
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SSM3K7002BF | Field Effect Transistor | Toshiba Semiconductor |
SSM3K7002BFS | Field Effect Transistor | Toshiba Semiconductor |
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