Datasheet.kr   

SSM5P16FU 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SSM5P16FU은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SSM5P16FU 자료 제공

부품번호 SSM5P16FU 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


SSM5P16FU 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SSM5P16FU 데이터시트, 핀배열, 회로
SSM5P16FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(π-MOSVI)
SSM5P16FU
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Small package
Low on-resistance
: RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V)
: RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V)
: RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
(Q1, Q2 Common)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-Source voltage
VDS 20 V
Gate-Source voltage
VGSS ±10 V
Drain current
Power dissipation
Channel temperature
DC
Pulse
ID
IDP
PD(Note1)
Tch
100
200
200
150
mA
mW
°C
1: Gate1
2: Source
3: Gate2
4: Drain2
5: Drain1
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
JEDEC
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
JEITA
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
TOSHIBA
2-2L1B
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
Weight: 6.2 mg (typ.)
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note1: Total rating
Marking
5
4
Equivalent Circuit (top view)
54
DT
Q1 Q2
123
123
Handling Precaution
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), ensure that the environment is
protected against static electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects
that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.
1 2010-12-13




SSM5P16FU pdf, 반도체, 판매, 대치품
SSM5P16FU
1000
300
100
30
10
3
1
-1
Yfs– ID
Common Source
VDS =−3 V
Ta = 25°C
Pulse test
-10 -100
Drain current ID (mA)
-1000
IDR – VDS
250
Common Source
VGS = 0 V
200 Ta = 25°C
Pulse test
D
150
G
100
IDR
S
50
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Drain - Source VDS (V)
1000
100
C – VDS
Common Source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
10 Ciss
Coss
Crss
1
-0.1 -1 -10
Drain – Source voltage VDS (V)
-100
10000
3000
1000
300
100
30
toff
tf
ton
tr
t – ID
Common Source
VDD = -3 V
VGS = 0~-2.5 V
Ta = 25°C
10
-0.1 -1 -10 -100
Drain current ID (mA)
PD* – Ta
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Ambient temperature Ta (°C)
*:Total rating
160
4
2010-12-13

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ SSM5P16FU.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SSM5P16FE

Field Effect Transistor

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
SSM5P16FU

Field Effect Transistor

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵