Datasheet.kr   

SSM6N7002AFU 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SSM6N7002AFU은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SSM6N7002AFU 자료 제공

부품번호 SSM6N7002AFU 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


SSM6N7002AFU 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SSM6N7002AFU 데이터시트, 핀배열, 회로
SSM6N7002AFU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6N7002AFU
High Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Unit: mm
Small package
Low ON resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
: Ron = 3.2 Ω (max) (@VGS = 5 V)
: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 10 V)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
2.1±0.1
1.25±0.1
Characteristics
Symbol
Rating
Drain-Source voltage
VDS
60
Gate-Source voltage
VGSS
± 20
Drain current
DC
Pulse
ID 200
IDP 800
Drain power dissipation (Ta = 25°C)
PD (Note)
300
Channel temperature
Tch 150
Storage temperature range
Tstg 55~150
Note: Total rating, mounted on FR4 board
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 0.32mm2 × 6)
0.4 mm
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
16
25
34
JED1.ESCOURCE1
JEI2T.AGATE1
TO3S.DHRIBAAIN2
4.SOURCE2
5.GATE2
62.-D2RJ1ACIN1
WUeiSgh6t: 0.012 g (typ.)
Marking
6
5
4
Equivalent Circuit (top view)
654
NK
Q1
Q2
123
123
Handling Precaution
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is
protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects
that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
1
2007-05-28




SSM6N7002AFU pdf, 반도체, 판매, 대치품
5000
Common source
3000 VDS = 10 V
Ta = 25°C
Yfs– ID
1000
500
300
100
10
30 50
100
300 500
Drain current ID (mA)
1000
C – VDS
50
30
Ciss
10
5
Common source
3 VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
Coss
Crss
1
1
35
10
30 50 100
Drain-Source voltage VDS (V)
SSM6N7002AFU
1000
800
Common source
VGS = 0 V
Ta = 25°C
D
IDR – VDS
600 G
400 S
200
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2
Drain-Source voltage VDS (V)
1000
500
300
tf
100
td(off)
50
30
t – ID
Common source
VDD = 30 V
VGS = 0 to 4.5 V
Ta = 25°C
10
5
3 td(on)
tr
1
13
5 10
30 50 100
Drain current ID (mA)
300 500 1000
PD* – Ta
500
Mounted on FR4 board.
(25.4 mm × 25.4 mm ×1.6 t
400 Cu pad: 0.32 mm2 × 6) Figure 1
300
200
100
0
0 40 80 120
Ambient temperature Ta (°C)
*: Total rating
160
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
4
2007-05-28

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ SSM6N7002AFU.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SSM6N7002AFU

Field Effect Transistor

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵