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부품번호 | TK7J90E 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
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전체 9 페이지수
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)
TK7J90E
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.)
(2) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 720 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK7J90E
TO-3P(N)
1: Gate
2: Drain (Heatsink)
3: Source
Start of commercial production
2013-12
1 2014-03-04
Rev.2.0
7. Marking (Note)
TK7J90E
Fig. 7.1 Marking
Note:
A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product.
The RoHS is the Directive 2011/65/EU of the European Parliament and of the Council of 8 June 2011 on the
restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
4 2014-03-04
Rev.2.0
4페이지 TK7J90E
Fig. 8.13 rth - tw
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.14 Safe Operating Area
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.15 EAS - Tch
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.16 Test Circuit/Waveform
Note: The above characteristics curves are presented for reference only and not guaranteed by production test,
unless otherwise noted.
7 2014-03-04
Rev.2.0
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구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TK7J90E | MOSFET ( Transistor ) | Toshiba Semiconductor |
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