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TK7J90E 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TK7J90E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TK7J90E 자료 제공

부품번호 TK7J90E 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


TK7J90E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TK7J90E 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)
TK7J90E
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 (typ.)
(2) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 720 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK7J90E
TO-3P(N)
1: Gate
2: Drain (Heatsink)
3: Source
Start of commercial production
2013-12
1 2014-03-04
Rev.2.0




TK7J90E pdf, 반도체, 판매, 대치품
7. Marking (Note)
TK7J90E
Fig. 7.1 Marking
Note:
A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels.
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to environmental matters such as the RoHS
compatibility of Product.
The RoHS is the Directive 2011/65/EU of the European Parliament and of the Council of 8 June 2011 on the
restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.
4 2014-03-04
Rev.2.0

4페이지










TK7J90E 전자부품, 판매, 대치품
TK7J90E
Fig. 8.13 rth - tw
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.14 Safe Operating Area
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.15 EAS - Tch
(Guaranteed Maximum)
Fig. 8.16 Test Circuit/Waveform
Note: The above characteristics curves are presented for reference only and not guaranteed by production test,
unless otherwise noted.
7 2014-03-04
Rev.2.0

7페이지


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