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AP4820GYT-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP4820GYT-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP4820GYT-HF 자료 제공

부품번호 AP4820GYT-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP4820GYT-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP4820GYT-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP4820GYT-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Small Size & Lower Profile
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
D
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The PMPAK® 3x3 package is special for DC-DC converters
application and lower 1.0mm profile with backside heat sink.
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
9mΩ
15A
D
D
D
D
S
S
S
G
PMPAK® 3x3
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+20
15
12
60
3.57
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data and specifications subject to change without notice
Value
4
35
Unit
/W
/W
1
201009214




AP4820GYT-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP4820GYT-HF
10
I D = 12 A
V DS = 15 V
8
6
4
2
0
0 4 8 12 16 20 24
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
Operation in this area
limited by RDS(ON)
10
100us
1ms
1 10ms
100ms
1s
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
DC
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
1000
C800
iss
600
400
C oss
200
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.0001
Single Pulse
0.001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthia=85 /W
0.01 0.1
1
t , Pulse Width (s)
10
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP4820GYT-HF.PDF 데이터시트 ]

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