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AP2338GN-HF-3 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP2338GN-HF-3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP2338GN-HF-3 자료 제공

부품번호 AP2338GN-HF-3 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP2338GN-HF-3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AP2338GN-HF-3 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP2338GN-HF-3
N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
Operates with Gate Drive down to 1.8V
Small Package, SOT-23 Outline
Surface Mount Device
RoHS-compliant, halogen-free
G
D
BV DSS
30V
R DS(ON)
35m
ID
S
5A
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best
combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.
The AP2338GN-HF-3 is in the popular SOT-23 small surface-mount package
which is widely used in commercial and industrial applications where a small
board footprint is required.
This device is well suited for use in medium current applications such as
voltage conversion or switch applications.
D
SOT-23 G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID at TA =25°C
ID at TA= 70°C
IDM
PD at TA=25°C
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current 3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
±8
5
4
20
1.38
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Thermal Data
Symbol
Rthj-a
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Value
90
Unit
°C/W
Ordering Information
AP2338GN-HF-3TR : in RoHS-compliant halogen-free SOT-23, shipped on tape and reel, 3000pcs/ reel
©2011 Advanced Power Electronics Corp. USA
www.a-powerusa.com
201103241-3 1/5




AP2338GN-HF-3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Advanced Power
Electronics Corp.
Typical Electrical Characteristics (cont.)
8
I D =5A
V DS =15V
6
800
600
4 400
AP2338GN-HF-3
f=1.0MHz
C iss
2
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
Operation in this
10
area limited by
RDS(ON)
100us
1
1ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
0.01
0.01
0.1
1
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10ms
100ms
1s
DC
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
30
V DS =5V
20
10
T j =150 o C
T j =25 o C
T j = -40 o C
0
0123
4
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
5
Fig 11. Transfer Characteristics
©2011 Advanced Power Electronics Corp. USA
www.a-powerusa.com
200
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
PDM
t
T
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 270°C/W
0.01 0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Circuit
4/5

4페이지












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