Datasheet.kr   

AP0504GMT-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP0504GMT-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP0504GMT-HF 자료 제공

부품번호 AP0504GMT-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP0504GMT-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

AP0504GMT-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP0504GMT-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
D
SO-8 Compatible with Heatsink
Low On-resistance
G
RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The PMPAK 5x6 package is special for DC-DC converters application
and the foot print is compatible with SO-8 with backside heat sink and
lower profile.
BVDSS
RDS(ON)
ID
40V
5.5m
75A
D
D
D
D
S
S
S
G
PMPAK 5x6
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TC=25
PD@TA=25
EAS
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Chip)
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
40
+20
75
23.6
19
300
56.8
5
28.8
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Value
2.2
25
Units
V
V
A
A
A
A
W
W
mJ
Units
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
1
200911101




AP0504GMT-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP0504GMT-HF
10
I D =20A
V DS =20V
8
6
4
2
0
0 10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
40
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
Operation in this
area limited by
100 RDS(ON)
100us
10 1ms
T C =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
DC
1
0.01
0.1
1
10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
2400
2000
C1600 iss
1200
800
C400 oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + Tc
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ AP0504GMT-HF.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
AP0504GMT-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics
AP0504GMT-HF-3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵