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부품번호 | AP9477GK-HF 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | Advanced Power Electronics | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9477GK-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ Simple Drive Requirement
▼ Lower Gate Charge
▼ Fast Switching Characteristic
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
D
SOT-223
D
G
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
low on-resistance and cost-effectiveness.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G
60V
90mΩ
4.1A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25℃
ID@TA=70℃
IDM
PD@TA=25℃
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
Storage Temperature Range
TJ Operating Junction Temperature Range
Rating
60
+20
4.1
3.3
20
2.8
0.02
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data and specifications subject to change without notice
Value
45
Unit
℃/W
1
201007292
AP9477GK-HF
12
10
I D =4A
8 V DS =32V
V DS =40V
V DS =48V
6
4
2
0
0 4 8 12 16
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1 1ms
10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
0.01
0.1
1
1s
DC
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
20
V DS =5V
15
10
T j =25 o C
T j =150 o C
5
0
024
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
6
f=1.0MHz
10000
1000
C iss
100
C oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 150℃/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t , Pulse Width (s)
10 100
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
4페이지 | |||
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