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YG835C04R 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 YG835C04R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 YG835C04R 자료 제공

부품번호 YG835C04R 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


YG835C04R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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YG835C04R 데이터시트, 핀배열, 회로
YG835C04R
SCHOTTKY BARRIER DIODE
(40V / 22A TO-22OF15)
Outline Drawings
10±0.5
+0.2
ø3.2 -0.1
4.5±0.2
2.7±0.2
123
Features
Low VF
Super high speed switching.
High reliability by planer design.
Applications
High speed power switching.
1.2±0.2
0.7±0.2
2.54±0.2
+0.2
0.6 -0
2.7±0.2
JEDEC
EIAJ
SC-67
Connection Diagram
2
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings
1
3
Item
Symbol
Conditions
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
40 V
Repetitive peak surge reverse voltage
Isolating voltage
Average output current
Suege current
VRSM
Viso
IO
IFSM
tw=500ns, duty=1/40
Terminals to Case,
AC. 1min.
duty=1/2, Tc=95°C
Square wave
Sine wave 10ms
40
1500
22*
120
V
V
A
A
Operating junction temperature
Tj
+150
°C
Storage temperature
Tstg
Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )
-40 to +150
°C
* Out put current of centertap full wave connection.
Item
Symbol
Conditions
Max.
Unit
Forward voltage drop **
VF IF=6.0A
0.45 V
Reverse current **
IR VR=VRRM
15.0
mA
Thermal resistance
Mechanical Characteristics
Rth(j-c)
Junction to case
2.5 °C/W
** Rating per element
Mounting torque
Weight
Recommended torque
0.3 to 0.5
2.3
N·m
g





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