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PDF GFP5N60 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GFP5N60
Descripción N-Channel enhancement mode power field effect Transistors
Fabricantes ETC 
Logotipo ETC Logotipo



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GFP5N60
General Description(概述)
These N-Channel enhancement mode power field effect
Transistors are produced using planar stripe, DMOS
technology.
GFP5N60是增强型N沟道功率场效应管,采用平面条形DMOS
工艺生产制造。
This advanced technology has been especially tailored
to minimize on - state resistance , provide superior
switching performance,and Withstand high energy pulse
in the avalanche and commutaion mode .These devices
are well suited for high efficiency switch mode power
supply.
GFP5N60具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击穿
能力,适合用于高效开关电源。
TO-220
1.Gate 2.Drain 3.Source
Absolute Maximum ratings(极参数,除非另定,T=25 ℃ )
Characteristics(参数)
漏源反向击穿电压
连续漏极电流
栅源电压
雪崩能量
耗散功率
储存温度
热阻(结到壳)
正向压降
Symbol(符号)
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
Value(额定值)
600
5
+ 30
300
120
-55 ~150
1.18
1.4
Units(单位)
V
A
V
mJ
W
/ W
V
Characteristics
参数名称
电压
栅源漏电流
漏源漏电流
导通电阻
输出电
输电
导通延迟时间
上升时间
下降延迟时间
下降时间
栅极存储电荷
栅源电荷
栅漏电荷
Symbol
(符号)
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
Min.
Typ.
(最小) (型值)
2.0 -
--
--
- 1.6
-4
- 560
- 80
-9
- 13
- 45
- 35
- 40
- 16
- 3.5
- 7.8
Page : 1/5
Max.
(最大)
4.0
+100
10
2.0
-
730
100
12
35
100
80
90
20
-
-
Units
(单位)
V
nA
uA
Ω
S
Test Conditions
(测试)
VDS= VGS,ID=250uA
VGS= +30V, VDS= 0V
VDS=600V ,VGS= 0V
VGS= 10V,ID=2.5A
VDS= 50V, ID=2.5A
pF VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
ns
VDD= 300V, ID= 5A
RG=25 Ω
nC VDS= 480V, VGS= 10V
ID=5A

1 page




GFP5N60 pdf
DUT
Driver
RG
VGS
+
VDS
__
L
Same Type
as DUT
dv/dt controlled by RG
Is controlled by pulse period
VDD
VGS
(Driver)
IS
(DUT)
VDS
(DUT)
D = --GG--aa--tt-ee--PP--uu--llss--ee--WP--e-i-dr-ito-h-d---
10V
IFM,Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
Vf
VDD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt test Circuit & Waveforms
Page : 5/5

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GFP5N60N-Channel enhancement mode power field effect TransistorsETC
ETC
GFP5N60Field effect transistorHaiso
Haiso

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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