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AP2612GY-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP2612GY-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP2612GY-HF 자료 제공

부품번호 AP2612GY-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP2612GY-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP2612GY-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP2612GY-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Capable of 1.8V Gate Drive
Simple Drive Requirement
Surface Mount Device
RoHS Compliant
S
D
D
SOT-26
G
D
D
BVDSS
RDS(ON)
ID
Description
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques
to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and
cost-effectiveness device.
The S0T-26 package is widely used for commercial-industrial surface
mount applications.
G
30V
35mΩ
6A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+8
6
4.7
20
2
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data and specifications subject to change without notice
Value
62.5
Unit
/W
1
201103241




AP2612GY-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP2612GY-HF
8
I D =5A
V DS =15V
6
4
f=1.0MHz
800
600
C iss
400
2
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
200
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
100
10
Operation in this area
limited by RDS(ON)
1
100us
1ms
10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 156/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t , Pulse Width (s)
10
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
30
V DS =5V
20
10
T j =150 o C
T j =25 o C
0 T j = -40 o C
0123
4
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
5
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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