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부품번호 | AP2612GY-HF 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | Advanced Power Electronics | ||
로고 | |||
Advanced Power
Electronics Corp.
AP2612GY-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ Capable of 1.8V Gate Drive
▼ Simple Drive Requirement
▼ Surface Mount Device
▼ RoHS Compliant
S
D
D
SOT-26
G
D
D
BVDSS
RDS(ON)
ID
Description
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques
to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and
cost-effectiveness device.
The S0T-26 package is widely used for commercial-industrial surface
mount applications.
G
30V
35mΩ
6A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25℃
ID@TA=70℃
IDM
PD@TA=25℃
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V
Continuous Drain Current3, VGS @ 4.5V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+8
6
4.7
20
2
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
℃
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data and specifications subject to change without notice
Value
62.5
Unit
℃/W
1
201103241
AP2612GY-HF
8
I D =5A
V DS =15V
6
4
f=1.0MHz
800
600
C iss
400
2
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
200
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
100
10
Operation in this area
limited by RDS(ON)
1
100us
1ms
10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 156℃/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t , Pulse Width (s)
10
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
30
V DS =5V
20
10
T j =150 o C
T j =25 o C
0 T j = -40 o C
0123
4
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
5
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AP2612GY-HF | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics |
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