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AP9467GS 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9467GS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9467GS 자료 제공

부품번호 AP9467GS 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9467GS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9467GS 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9467GS
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-resistance
Single Drive Requirement
Fast Switching Characteristics
G
D
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-
effectiveness.
The TO-263 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
40V
11mΩ
52A
G D S TO-263(S)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
40
+20
52
33
200
44.6
0.36
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Value
2.8
40
62
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
/W
/W
Data and specifications subject to change without notice
1
200810072




AP9467GS pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9467GS
8
I D =30A
6
V DS =32V
4
2
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
100 10us
100us
10 1ms
1
T C =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
DC
0.1
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1600
1200
C iss
800
400
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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