Datasheet.kr   

AP9466GM 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9466GM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9466GM 자료 제공

부품번호 AP9466GM 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9466GM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

AP9466GM 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9466GM
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-resistance
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
Description
D
D
D
D
SO-8
G
S
SS
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SO-8 package is universally preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G
40V
13.5mΩ
10A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient3
Rating
40
± 20
10
8.4
40
2.5
0.02
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Max.
Value
50
Unit
/W
Data and specifications subject to change without notice
200810071-1/4




AP9466GM pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9466GM
16
I D = 10 A
12
V DS = 20 V
V DS = 24 V
V DS = 32 V
8
4
0
0 10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
100us
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
10000
1000
C iss
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125oC/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
t , Pulse Width (s)
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ AP9466GM.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
AP9466GH

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics
AP9466GJ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵