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AP9470GM-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9470GM-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP9470GM-HF 자료 제공

부품번호 AP9470GM-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9470GM-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9470GM-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9470GM-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-resistance
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
RoHS Compliant & Halogen-Free
Description
D
D
D
D
SO-8
G
SS
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SO-8 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
40V
13.5m
10.2A
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
40
+20
10.2
8.1
40
2.5
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Rthj-a
Parameter
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data and specifications subject to change without notice
Value
50
Unit
/W
1
200911191




AP9470GM-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9470GM-HF
10
ID=6A
V DS = 20 V
8
6
4
2
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
Operation in this area
10 limited by RDS(ON)
100us
1ms
1
10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1s
DC
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
1000
800
C iss
600
400
200
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125oC/W
0.01 0.1 1 10
t , Pulse Width (s)
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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