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AP9465BGJ 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9465BGJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9465BGJ 자료 제공

부품번호 AP9465BGJ 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9465BGJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 4 페이지수

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AP9465BGJ 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9465BGH/J
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Lower Gate Charge
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
D BVDSS
40V
RDS(ON)
32mΩ
G ID 20A
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications.
The through-hole version (AP9465BGJ) are available for low-profile
applications.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
G
D
S
G
D
S
Rating
40
+20
20
12
60
20.8
0.17
-55 to 150
-55 to 150
TO-252(H)
TO-251(J)
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
6.0
62.5
110
Units
/W
/W
/W
1
200903092




AP9465BGJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9465BGH/J
16
I D =12A
12
V DS =20V
V DS =24V
V DS =32V
8
4
0
0 4 8 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
16
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
100us
1
T C =25 o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
0
0.1 1 10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
40
V DS =5V
30
20
T j =25 o C
T j =150 o C
10
0
012345
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
6
f=1.0MHz
1000
C iss
100
C oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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