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06N80C3 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 06N80C3 기능
기능 SPP06N80C3
제조업체 Infineon
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06N80C3 데이터시트, 핀배열, 회로
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Ultra low gate charge
• Ultra low effective capacitances
Product Summary
V DS
R DS(on)max @ Tj = 25°C
Q g,typ
SPP06N80C3
800 V
0.9
31 nC
PG-TO220-3
CoolMOSTM 800V designed for:
• Industrial application with high DC bulk voltage
• Switching Application ( i.e. active clamp forward )
Type
SPP06N80C3
Package
PG-TO220-3
Marking
06N80C3
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2)
I D,pulse
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
MOSFET dv /dt ruggedness
E AS
E AR
I AR
dv /dt
Gate source voltage
V GS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=1.2 A, V DD=50 V
I D=6 A, V DD=50 V
V DS=0…640 V
static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
Operating and storage temperature
P tot T C=25 °C
T j, T stg
Mounting torque
M3 and M3.5 screws
Rev. 2.91
page 1
Value
6
3.8
18
230
0.2
6
50
±20
±30
83
-55 ... 150
60
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
Ncm
2011-09-28




06N80C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
90
80
2 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
102
limited by on-state
resistance
SPP06N80C3
70
60
101
1 µs
10 µs
50
100 µs
40 1 ms
30 100 DC
10 ms
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150
T C [°C]
10-1
1
10 100
V DS [V]
1000
3 Max. transient thermal impedance
ZthJC=f(tP)
parameter: D=t p/T
101
4 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C; t p=10 µs
parameter: V GS
20
20 V
100
0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
10-5
Rev. 2.91
10-4
10-3
10-2
t p [s]
15
10
5
0
10-1 0
page 4
10 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
5 10 15 20 25
V DS [V]
2011-09-28

4페이지










06N80C3 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
14 Typ. Coss stored energy
E oss= f(V DS)
SPP06N80C3
104 6
103 Ciss
5
4
102
Coss
101
Crss
100
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V DS [V]
3
2
1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
V DS [V]
Rev. 2.91
page 7
2011-09-28

7페이지


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다운로드[ 06N80C3.PDF 데이터시트 ]


 
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