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AP01N40J 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP01N40J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP01N40J 자료 제공

부품번호 AP01N40J 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP01N40J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP01N40J 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP01N40J
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Lower Gate Charge
100% Avalanche Rated
Fast Switching Performance
Simple Drive Requirement
G
D
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the
best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
resistance and cost-effectiveness.
The TO-251 package is widely preferred for commercial-industrial
through-hole applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
400V
16Ω
0.5A
G
D
S
TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
400
±20
0.5
0.4
2
17.4
0.14
0.5
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
7.2
110
Units
/W
/W
201018072-1/4




AP01N40J pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP01N40J
16
I D =1A
V DS =320V
12
8
4
0
01234
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
10
1
100us
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
1
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1ms
10ms
100ms
DC
1000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
100 f=1.0MHz
C iss
C10 oss
C rss
1
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4

4페이지












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