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AP05FN50I 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP05FN50I은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP05FN50I 자료 제공

부품번호 AP05FN50I 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP05FN50I 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 4 페이지수

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AP05FN50I 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
Fast trr Performance
Fast Switching Characteristic
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant
AP05FN50I
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
D BVDSS
RDS(ON)
500V
1.8Ω
G ID 4.4A
S
Description
AP05FN50 series are specially designed as main switching devices
for universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. It
provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag in
the toughest power system with the best combination of fast
switching design and cost-effectiveness.
The TO-220CFM package is widely preferred for all commercial-
industrial through hole applications. The mold compound provides a
high isolation voltage capability and low thermal resistance between
the tab and the external heat-sink.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
GD S
TO-220CFM(I)
Rating
500
+20
4.4
2.7
18
31.3
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
4
65
Unit
/W
/W
1
201211273




AP05FN50I pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP05FN50I
12
I D =1A
10
V DS =250V
V DS =300V
8
V DS =400V
6
4
2
0
0 10 20 30
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10
Operation in this area
limited by RDS(ON)
100us
1 1ms
10ms
100ms
0.1 1s
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
1
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
DC
1000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1600
1200
C iss
800
400
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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