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AP02N60P-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP02N60P-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP02N60P-HF 자료 제공

부품번호 AP02N60P-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP02N60P-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP02N60P-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP02N60P-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
100% Avalanche Test
Fast Switching Characteristics
Simple Drive Requirement
Halogen Free & RoHS Compliant
G
D BVDSS
RDS(ON)
ID
S
600V
8Ω
2A
Description
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-
industrial applications. The device is suited for DC-DC, DC-AC
converters for telecom, industrial and consumer environment.
G
DS
TO-220
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
TSTG
TJ
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
600
+30
2
1.26
6
39
0.31
130
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
3.2
62
Units
/W
/W
1
201211203




AP02N60P-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP02N60P-HF
16
I D =2A
12
V DS =320V
V DS =400V
V DS =480V
8
4
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
10
Operation in this area
limited by RDS(ON)
1
1ms
10ms
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
100ms
1s
DC
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1000
C iss
100
C oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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