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부품번호 | AP01L60AT 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | Advanced Power Electronics | ||
로고 | |||
Advanced Power
Electronics Corp.
AP01L60AT
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ Low Gate Charge
▼ Fast Switching Characteristics
▼ Simple Drive Requirement
Description
G
D
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
12Ω
160mA
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to
achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-
effectiveness device.
The TO-92 package is widely used for commercial-industrial applications.
G
D
S
TO-92
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25℃
ID@TA=100℃
IDM
PD@TA=25℃
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Rating
600
± 30
160
100
300
0.83
-55 to 150
-55 to 150
Value
150
Units
V
V
mA
mA
mA
W
℃
℃
Unit
℃/W
Data & specifications subject to change without notice
201023073-1/4
AP01L60AT
16
12
I D =0.1A
V DS =480V
8
4
0
02468
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
0.2
0.15
0.1
0.05
0
25 50 75 100 125 150
T A , Case Temperature ( o C )
Fig 9. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
Fig 11. Switching Time Waveform
f=1.0MHz
1000
Ciss
100
Coss
10
Crss
1
1 10 19 28
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 50 100 150
T A , Case Temperature ( o C )
Fig 10. Typical Power Dissipation
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
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구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AP01L60AT | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics |
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