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AP01L60AT 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP01L60AT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP01L60AT 자료 제공

부품번호 AP01L60AT 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP01L60AT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP01L60AT 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP01L60AT
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low Gate Charge
Fast Switching Characteristics
Simple Drive Requirement
Description
G
D
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
12Ω
160mA
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to
achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-
effectiveness device.
The TO-92 package is widely used for commercial-industrial applications.
G
D
S
TO-92
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=100
IDM
PD@TA=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Rating
600
± 30
160
100
300
0.83
-55 to 150
-55 to 150
Value
150
Units
V
V
mA
mA
mA
W
Unit
/W
Data & specifications subject to change without notice
201023073-1/4




AP01L60AT pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP01L60AT
16
12
I D =0.1A
V DS =480V
8
4
0
02468
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
0.2
0.15
0.1
0.05
0
25 50 75 100 125 150
T A , Case Temperature ( o C )
Fig 9. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
Fig 11. Switching Time Waveform
f=1.0MHz
1000
Ciss
100
Coss
10
Crss
1
1 10 19 28
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 50 100 150
T A , Case Temperature ( o C )
Fig 10. Typical Power Dissipation
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4

4페이지












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