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AP9561GM 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9561GM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9561GM 자료 제공

부품번호 AP9561GM 기능
기능 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9561GM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9561GM 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9561GM
RoHS-compliat Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Lower Gate Charge
Fast Switching Characteristic
Description
D
D
D
D
SO-8
G
S
S
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with
the best combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost-effectiveness.
The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters.
BVDSS
RDS(ON)
ID
-40V
18mΩ
-9.4A
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TA=25
TSTG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
TJ Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Rating
-40
+20
-9.4
-7.5
-40
2.5
-55 to 150
-55 to 150
Value
50
Units
V
V
A
A
A
W
Unit
/W
Data and specifications subject to change without notice
1
200806201




AP9561GM pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9561GM
14
I D = -9A
12 V DS = -32V
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10 100us
1ms
1 10ms
100ms
0.1
T A =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
0.1 1 10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
2400
2000
C1600 iss
1200
800
C400 oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125oC/W
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t , Pulse Width (s)
10
100 1000
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off)tf
VG
-4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP9561GM.PDF 데이터시트 ]

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