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부품번호 | H27UEG8YEA 기능 |
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기능 | 256Gb (32768M x 8bit) NAND Flash | ||
제조업체 | Hynix | ||
로고 | |||
Preliminary
H27UEG8YEA Series
256Gb (32768M x 8bit) NAND Flash
256Gb NAND Flash
H27UEG8YEA
Rev 0.1 / Dec. 2009
1
Preliminary
H27UEG8YEA Series
256Gb (32768M x 8bit) NAND Flash
1. SUMMARY DESCRIPTION
The product part NO.(H27UEG8YEA) is a 256Gbit (ODP) NAND flash memory. The Device contains 2 planes in a single die.
Each plane is made up of the 1024 blocks. Each block consists of 256 programmable pages. Each page contains 8,640
bytes. The pages are subdivided into an 8192-bytes main data storage area with a spare 448-byte district.
Page program operation can be performed in typical 1,600us, and a single block can be erased in typical 2.5ms. On-chip
control logic unit automates erase and program operations to maximize cycle endurance. E/W endurance is stipulated at
3,000 cycles when using relevant ECC and Error management.
The H27UEG8YEA is a best solution for applications requiring large nonvolatile storage memory.
1.1. Product List
Table 1
PART NUMBER
H27UEG8YEA
ORGANIZATION
X8
Vcc RANGE
2.7V ~ 3.6V
PACKAGE
52 - LGA
Rev 0.1 / Dec. 2009
4
4페이지 Pin Diagram
■ Figure 3. Pin Diagram
CE#
WE#
RE#
ALE
CLE
WP#
Preliminary
H27UEG8YEA Series
256Gb (32768M x 8bit) NAND Flash
VCC
I/O0~I/O7
R/B#
VSS
Pin Names
I/O7~I/O0
CLE
ALE
CE#
RE#
R/B#
WE#
WP#
Vcc
VSS
NC
Data Input / Outputs
Command Latch Enable
Address Latch Enable
Chip Enable
Read Enable
Ready / Busy
Write Enable
Write Protect
I/O power
Ground
No Connection
Rev 0.1 / Dec. 2009
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 66 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
H27UEG8YEA | 256Gb (32768M x 8bit) NAND Flash | Hynix |
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