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R1LV0416D 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 R1LV0416D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 R1LV0416D 자료 제공

부품번호 R1LV0416D 기능
기능 4M SRAM
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


R1LV0416D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R1LV0416D 데이터시트, 핀배열, 회로
R1LV0416D Series
4M SRAM (256-kword × 16-bit)
REJ03C0311-0100
Rev.1.00
May.24.2007
Description
The R1LV0416D is a 4-Mbit static RAM organized 256-kword × 16-bit, fabricated by Renesas's high-performance 0.15µm
CMOS and TFT technologies. R1LV0416D Series has realized higher density, higher performance and low power
consumption. The R1LV0416D Series offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery
backup systems. The R1LV0416D Series is packaged in a 44-pin thin small outline mount device, or a 48-ball fine pitch
ball grid array.
Features
Single 3.0 V supply: 2.7 V to 3.6 V
Fast access time: 55/70 ns (max)
Power dissipation:
Standby: 3 µW (typ) (VCC = 3.0 V)
Equal access and cycle times
Common data input and output.
Three state output
Battery backup operation.
2 chip selection for battery backup
Temperature Range: -40 to +85°C
Rev.1.00, May.24.2007, page 1 of 15




R1LV0416D pdf, 반도체, 판매, 대치품
R1LV0416D Series
Block Diagram
LSB
A13
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A6
A14
MSB A15
A16
I/O0
I/O15
CS2
CS1#
LB#
UB#
WE#
OE#
Row
decoder
Memory matrix
2,048 x 2,048
V CC
V SS
Input
data
control
Column I/O
Column decoder
LSB A0 A1 A2 A3 A4 A5 A17 MSB
••
Control logic
Rev.1.00, May.24.2007, page 4 of 15

4페이지










R1LV0416D 전자부품, 판매, 대치품
R1LV0416D Series
AC Characteristics
(Ta = -40 to +85°C, VCC = 2.7 V to 3.6 V)
Test Conditions
Input pulse levels: VIL = 0.4 V, VIH = 2.4 V
Input rise and fall time: 5 ns
Input/output timing reference levels: 1.4 V
Output load: See figures (Including scope and jig)
Dout
50 pF
1.4 V
RL=500
Output load
Rev.1.00, May.24.2007, page 7 of 15

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