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R1WV3216RSD-7S 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 R1WV3216RSD-7S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R1WV3216RSD-7S 자료 제공

부품번호 R1WV3216RSD-7S 기능
기능 32Mb Advanced LPSRAM
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


R1WV3216RSD-7S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R1WV3216RSD-7S 데이터시트, 핀배열, 회로
R1W V3216R Series
32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)
REJ03C0215-0300Z
Rev.3.00
2008.03.03
Description
The R1WV3216R Series is a family of low voltage 32-Mbit static RAMs organized as 2097152-words by 16-bit,
fabricated by Renesas's high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.
The R1WV3216R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing , battery operating and
battery backup are the important design objectives.
The R1WV3216R Series is made by stacked-micro-package technology and two chips of 16Mbit Advanced
LPSRAMs are assembled in one package.
The R1WV3216R Series is packaged in a 52pin micro thin small outline mount device[µTSOP / 10.79mm x
10.49mm with the pin-pitch of 0.4mm] or a 48balls fine pitch ball grid array [f-BGA / 7.5mmx8.5mm with the ball-pitch
of 0.75mm and 6x8 array] . It gives the best solution for a compaction of mounting area as well as flexibility of wiring
pattern of printed circuit boards.
Features
• Single 2.7-3.6V power supply
• Small stand-by current:4µA (3.0V, typ.)
• Data retention supply voltage =2.0V
• No clocks, No refresh
• All inputs and outputs are TTL compatible.
• Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#
• Common Data I/O
• Three-state outputs: OR-tie capability
• OE# prevents data contention on the I/O bus
• Process technology: 0.15um CMOS
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
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R1WV3216RSD-7S pdf, 반도체, 판매, 대치품
R1W V3216R Series
Block Diagram
A0
A20
CS2
CS1#
LB#
UB#
BYTE#
WE#
OE#
Memory Array
1048576 Words
x 16BITS
OR
2097152 Words
x 8BITS
CLOCK
GENERATOR
x8/x16
SWITCHING
CIRCUIT
16Mb Advanced LPSRAM #1
16Mb Advanced LPSRAM #2
Note: BYTE# pin is supported by only 52-pin µTSOP type.
DQ0
DQ7
DQ8
DQ15
/ A-1
Vcc
Vss
REJ03C0215-0300Z Rev.3.00 2008.03.03
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R1WV3216RSD-7S 전자부품, 판매, 대치품
R1W V3216R Series
Capacitance
Parameter
Symbol Min. Typ.
Input capacitance
C in - -
Input / output capacitance C I/O
-
-
Note 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
Max.
20
20
Unit
pF
pF
(Ta = +25ºC, f =1MHz)
Test conditions Note
V in = 0V
1
V I/O = 0V
1
AC Characteristics
Test Conditions (Vcc=2.7~3.6V, Ta = 0~+70ºC / -40~+85ºC *)
Input pulse levels: VIL= 0.4V,VIH=2.4V
Input rise and fall time : 5ns
Input and output timing reference levels : 1.4V
Output load : See figures (Including scope and jig)
1.4V
RL=500Ω
DQ
CL=30pF
Note: Temperature range depends on R/I-version. Please see table on page 2.
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