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부품번호 | STD12L01 기능 |
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기능 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop Microelectronics | ||
로고 | |||
STD12L01Gre
Pro
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ver 1.3
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (m ) Max
100V 12A 160 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-251 Package.
G
DS
STD SERIES
TO - 251( I - PAK )
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed b
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation a
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case a
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
Limit
100
±20
12
9.6
35
25
50
32
-55 to 150
2.5
50
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Oct,29,2010
www.samhop.com.tw
STD12L01
420
ID=6A
350
280 125 C
210
75 C
140
25 C
70
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
900
750
Ciss
600
450
300
Coss
150
Crss
0
05
10 15
20 25 30
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
20.0
10.0
5.0
125 C
75 C 25 C
Ver 1.3
1.0
0
0.25 0.50 0.75 1.00 1.25
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=50V
8 ID=6A
6
4
2
0
0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
300 80
100
TD(off )
TD(on)
Tr
10
Tf
VDS=50V,ID=1A
VGS=10V
1
1 10 100
Rg, Gate Resistance(Ω)
Figure 11. switching characteristics
10 DC10ms 1ms
1
0.1
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
1 10 100
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Figure 12. Maximum Safe Operating Area
Oct,29,2010
4 www.samhop.com.tw
4페이지 STD12L01
TO-251 Tube
" A"
2~ӿ3.0
540 + 1.5
0.4 7.50
1.25
6.60
19.75
Ver 1.3
TO-251 Tube
4.5
UNIT:nn
Oct,29,2010
7 www.samhop.com.tw
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STD12L01 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
STD12L01A | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
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