Datasheet.kr   

STU35N10 데이터시트 PDF




SamHop Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STU35N10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STU35N10 자료 제공

부품번호 STU35N10 기능
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 SamHop Microelectronics
로고 SamHop Microelectronics 로고


STU35N10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STU35N10 데이터시트, 핀배열, 회로
STU35N10
Sa mHop Microelectronics C orp.
STD35N10Green
Product
Ver 1.0
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (mΩ) Typ
21 @ VGS=10V
100V
35A
30 @ VGS=4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-252 and TO-251 Package.
G
S
STU SERIES
TO - 252AA( D- PAK )
G
DS
STD SERIES
TO - 251( I - PAK )
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a c
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed c
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation a
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case a
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient a
Limit
100
±20
35
28
102
196
42
27
-55 to 150
3
50
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Apr,30,2014
www.samhop.com.tw




STU35N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STU35N10
STD35N10
90
I D =1 7 . 5 A
75
60
125 C
45
75 C
30
15 25 C
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
3000
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
500
Crss
0
05
10 15 20 25 30
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
Ver 1.0
20
10
125 C
75 C
25 C
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=50V
8
ID=17.5A
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
1000
100
TD(on)
Tr
TD(off )
Tf
VDS=50V,ID=1A
VGS=10V
10
1 10
Rg, Gate Resistance(Ω)
100
Figure 11. switching characteristics
100
10us
1ms
10
1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
0.3
0.1 1
10 100
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Figure 12. Maximum Safe Operating Area
Apr,30,2014
4 www.samhop.com.tw

4페이지










STU35N10 전자부품, 판매, 대치품
STU35N10
STD35N10
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-251
E
b3
A
c2
Ver 1.0
D1
H
1
b2
E1 D
23
L4 L5
b
e
b4
c
SYMBOL
E
L
L4
L5
D
H
b
b2
b3
b4
e
A
c
c2
D1
E1
MILLIMETERS
MIN MAX
6.350
6.731
3.700
4.400
0.698 REF
0.972
1.226
5.970
9.670
6.223
11.450
0.630
0.850
0.760
4.950
1.140
5.460
0.450
0.550
2.286 BSC
2.180
2.390
0.400
0.400
0.610
0.610
5.100
4.318
7
L
Apr,30,2014
www.samhop.com.tw

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ STU35N10.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STU35N10

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

SamHop Microelectronics
SamHop Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵