|
|
|
부품번호 | STU437S 기능 |
|
|
기능 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop Microelectronics | ||
로고 | |||
STU437S
Sa mHop Microelectronics C orp.
STD437SGreen
Product
Ver 1.0
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (mΩ) Max
-40V
-32A
16 @ VGS=-10V
30 @ VGS=-4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Suface Mount Package.
G
S
STU SERIES
TO - 252AA( D- PAK )
G
DS
STD SERIES
TO - 251( I - PAK )
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous a e
TC=25°C
TC=70°C
IDM -Pulsed b
EAS Sigle Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Limit
-40
±20
-32
-25.6
-94
121
42
27
-55 to 150
3
50
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C/W
°C/W
Details are subject to change without notice.
1
Sep,09,2013
www.samhop.com.tw
STU437S
STD437S
60
ID=-16A
50
40
30
125 C
20
10
75 C
25 C
0
0 2 4 6 8 10
-VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
3000
2500
2000
Cis s
1500
1000
500
Cos s
C rss
0
05
10 15
20 25 30
-VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
20
10
125 C
Ver 1.0
75 C
25 C
1
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
-VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=-20V
8 ID=-16A
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
1000
100
TD(on)
Tr
Tf
10
TD(off )
VDS=-20V,ID=-1A
VGS=-10V
1
1 10
100
Rg, Gate Resistance(Ω)
Figure 11. switching characteristics
100
R DS(ON) Limit
100us
1ms
10 DC10ms
1
0.2
0.1
VGS=-10V
Single Pulse
TC=25 C
1
10 100
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
Figure 12. Maximum Safe Operating Area
Sep,09,2013
4 www.samhop.com.tw
4페이지 STU437S
STD437S
Ver 1.0
E
b2
L3
D1
1
L4
e
E1 D
23
b1
b
1
DETAIL "A"
A
C
TO-252
H
L2
SYMBOLS
A
A1
b
b1
b2
C
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
1
L A1
L1 DETAIL "A"
MILLIMETERS
MIN MAX
2.100
2.500
0.000
0.400
0.200
0.889
0.770
1.140
4.800
5.460
0.400
0.600
5.300
6.223
4.900
5.515
6.300
4.400
6.731
5.004
2.290 REF
8.900
10.400
1.397
1.770
2.743 REF.
0.508 REF.
0.890
1.700
0.500
1.100
0° 10°
7° REF.
INCHES
MIN MAX
0.083
0.098
0.000
0.016
0.030
0.008
0.035
0.045
0.189
0.016
0.215
0.024
0.209
0.245
0.193
0.217
0.248
0.173
0.265
0.197
0.090 BSC
0.350
0.409
0.055
0.070
0.108 REF.
0.020 REF.
0.035
0.067
0.020
0.043
0° 10°
7° REF.
Sep,09,2013
7 www.samhop.com.tw
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
다운로드 | [ STU437S.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STU437S | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |