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BTA80-1600B 데이터시트 PDF




HAOHAI에서 제조한 전자 부품 BTA80-1600B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BTA80-1600B 자료 제공

부품번호 BTA80-1600B 기능
기능 TRIACs
제조업체 HAOHAI
로고 HAOHAI 로고


BTA80-1600B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BTA80-1600B 데이터시트, 핀배열, 회로
英文與中文繁體版本
80A TRIACs : 80A 四象限 絕緣型 塑封 双向可控硅 【器件參數】
無鉛産品提供SGS環保認證, 符合歐美RoHS環保指令標準
QUICK REFERENCE【參考特性】
産品型號
Part Number
BTA80-600B
BTA80-800B
BTA80-1000B
BTA80-1200B
BTA80-1400B
BTA80-1600B
工業型號
Industry Part
BTA80-600
BTA80-800
BTA80-1000
BTA80-1200
BTA80-1400
BTA80-1600
通態電流均方值
IT(RMS) (A)
80 A
斷態重復峰值電壓
VDRM / VRRM (V)
600 V
800 V
1000 V
1200 V
1400 V
1600 V
門極觸發電流
IGT (µA / mA)
IGT 1~3
50 mA
封裝外形
Package
TOP4
包裝方式
Packing
胶袋包装
或管装
元件標識
Marking
产品特征和主要用途:NPNPN五层结构的硅双向器件;具有自主识产权的单面挖槽技术,台面玻璃钝化工艺;
背面多层金属化电极;具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性。主要用于:加热控制器(调温);彩灯控制
器;固态继电器;吸尘器、电动工具等马达调速控制器;其它相控电路。
1 234
PINNING: TOP4 ( TO-4PT or TO-228 ) TOP4直插半塑封】【BTA為絕緣型:中間管腳T2與散熱片Tab不導通】
Pin Symbol Description
管腳排列 對應極性 極性名詞
Description
極性含義
Practicality in Pin Arrange
元件實物與管腳排列
Pin Polarity Circuit diagram
腳位與極性 電路符號表示
1 T1 Main terminal 1 第一陽極
25
3G
Gate
-控制極 Tab
4 T2 Main terminal 2 第二陽極
5 Tab
----
散熱片
4
3
2
1
1=T1
2=
3= G
4=T2
5=Tab
ABSOLUTE RATINGs (Limiting Values)【额定值参数】
SYMBOL
Paramenter & Test Conditions
符號表示
器件符號含義 及 參數測試條件說明
IT(RMS)
ITSM
IGM
I2t
通態電流均方值: On-State RMS Current ( full sine wave,TC=80°C)
通態浪湧電流: Non repetitive surge peak on-state current (Tj=25°C, F=50Hz, T=200mS )
门极峰值电流: (tp=20mS, Tj=25°C)
週期電流平方時間積: Circuit Fusing Consideration (tp=10mS)
VDRM / VRRM
PG(AV)
斷態重復峰值電壓/反向重复峰值电压: (Tj=25°C) (參考型號對照列表)
門極平均散耗功率: Average gate power (Tj=125°C)
T j 工作結溫: Operating Junction Temperature Range @ Rate VRRM and VDRM
Tstg
貯存溫度: Storage Temperature Range
Value
數值
80
800
8
3600
600~1600
1
-40 ~ +125
-40 ~ +150
Unit
單位
A
A2ses
V
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICs (Tj=25Unless Otherwise Noted)【電参数】
SYMBOL
Paramenter & Test Conditions
符號表示
符號含義 及 參數測試條件 說明
IGT(T2+G+)
IGT (T2+G-)
IGT (T2-G-)
IGT (T2-G+)
IH
IL
IDRM
IRRM
VGT
VTM
VTO
VGD
RD
dv / dt
dv/dtC
di / dt
門極觸發電流第一象限:
門極觸發電流第二象限:
門極觸發電流第三象限:
門極觸發電流第四象限:
門極觸發電流
Gate trigger current
VD=12VDC, RL=100, Tj=25°C
維持電流: Holding Current (IT=500mA)
擎住電流: Latching Current (IG=1.2 IGT)
断态峰值电流 (Tj=25°C)
反向峰值电流 (Tj=125°C)
門極觸發電壓: Gate trigger voltage (VD=12VDC, RL=30, Tj=25°C)
峰值通態電壓:Peak Forward On-State Voltage (ITM=82A, tp=380µs)
门槛電壓: (ITM=82A, tp=380µs)
門極不觸發電壓: Gate NO trigger voltage (VD=12VDC, RL=300, Tj=125°C)
斜率电阻: Dynamic resistance slops Resistance (Tj=125°C)
斷態臨界電壓上升率: (VD=2/3 VDRMTj=125°C)
换向电压臨界上升率: (VD=2/3 VDRMTj=125°C)
通態臨界電流上升率: Critical Rate of Rise of OnState Current
Rth(j-c)
熱阻-結到外殼: Thermal ResistanceJunctiontoCase
Rth(j-a)
熱阻-結到環境: Thermal ResistanceJunctiontoAmbient
Value
最小值
典型值
最大值
35 50
35 50
36 50
50 100
→→
IGT1-2-3: 60mA,
50
80
IGT4: 100mA
2
→ → 1.5
→ → 1.55
→ → 0.87
→ → 0.2
→ → 3.2
500
→ 10 →
50
0.9
50
Unit
單位
mA
µA
mA
V
m
V/µs
A/µs
/W
Web: www.kkg.com.cn
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
KKG@Product Data 2010-06-06
High Voltage Triacs: BTA80 Series
TOP4





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