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HFS7N60 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFS7N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFS7N60 자료 제공

부품번호 HFS7N60 기능
기능 600V N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFS7N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFS7N60 데이터시트, 핀배열, 회로
Dec 2005
HFS7N60
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V
RDS(on) typ = 0.96
ID = 7.0 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) : 0.96 (Typ.) @VGS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
TO-220F
123
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25℃)
– Continuous (TC = 100℃)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
600
7.0*
4.4*
28*
±30
420
7.0
4.8
5.5
PD Power Dissipation (TC = 25℃)
- Derate above 25℃
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
TL Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature
48
0.38
-55 to +150
300
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Junction-to-Case
Parameter
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
2.6
62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Units
℃/W
◎ SEMIHOW REV.A0,Decy 2005




HFS7N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
7
6
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
100 D =0.5
1 0 -1
1 0 -2
1 0 -5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
N otes :
1 . Z θ JC( t) = 2 .6 / W M a x .
2. D uty F actor, D = t1/t2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C( t )
sin g le p u lse
PDM
t1t2
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [s e c ]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
◎ SEMIHOW REV.A0,Decy 2005

4페이지










HFS7N60 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-220F
±0.20
φ3.18±0.20
±0.20
2.54±0.20
0.70±0.20
1.47max
2.54typ
2.54typ
2.76±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
◎ SEMIHOW REV.A0,Decy 2005

7페이지


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