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FGH75N60UF 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGH75N60UF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FGH75N60UF 자료 제공

부품번호 FGH75N60UF 기능
기능 75A Field Stop IGBT
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FGH75N60UF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FGH75N60UF 데이터시트, 핀배열, 회로
FGH75N60UF
600V, 75A Field Stop IGBT
Features
• High Current Capability
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.9V @ IC = 75A
• High Input Impedance
• Fast Switching
• RoHS Compliant
Applications
• Induction Heating, UPS, SMPS, PFC
April 2009
tm
General Description
Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new
series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for
Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low
conduction and switching losses are essential.
E
C
G
COLLECTOR
(FLANGE)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VCES
VGES
IC
ICM (1)
PD
TJ
Tstg
TL
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
RJC(IGBT)
RJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Ratings
600
20
150
75
225
452
181
-55 to +150
-55 to +150
300
Typ.
-
-
Max.
0.276
40
Units
V
V
A
A
A
W
W
oC
oC
oC
Units
oC/W
oC/W
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH75N60UF Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com




FGH75N60UF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. VGE
20
Common Emitter
TC = 25oC
16
12
8
150A
4
75A
IC = 40A
0
0 4 8 12 16 20
Gate-Emitter Voltage, VGE [V]
Figure 9. Capacitance Characteristics
8000
6000
Common Emitter
VGE = 0V, f = 1MHz
TC = 25oC
Cies
4000
2000
0
1
Coes
Cres
10
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
30
Figure 11. SOA Characteristics
500
100
10s
100s
10
1ms
10 ms
1 DC
Single Nonrepetitive
0.1 Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
0.01
1 10
100
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
1000
Figure 8. Saturation Voltage vs. VGE
20
Common Emitter
TC = 125oC
16
12
8
75A 150A
4
IC = 40A
0
0 4 8 12 16 20
Gate-Emitter Voltage, VGE [V]
Figure 10. Gate charge Characteristics
15
Common Emitter
TC = 25oC
12
200V
VCC = 100V
9
300V
6
3
0
0 50 100 150 200 250
Gate Charge, Qg [nC]
Figure 12. Load Current vs. Frequency
140
VCC = 400V
load Current : peak of square wave
120
100
80
60
40
Duty cycle : 50%
T = 100oC
C
Powe Dissipation = 181W
20
1 10 100
Frequency [kHz]
1000
FGH75N60UF Rev. A1
4
www.fairchildsemi.com

4페이지










FGH75N60UF 전자부품, 판매, 대치품
Mechanical Dimensions
TO-247AB (FKS PKG CODE 001)
FGH75N60UF Rev. A1
Dimensions in Millimeters
7 www.fairchildsemi.com

7페이지


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