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2D0N60F 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 2D0N60F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2D0N60F 자료 제공

부품번호 2D0N60F 기능
기능 KHB2D0N60F
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


2D0N60F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2D0N60F 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent
avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode
power supplies.
FEATURES
VDSS= 600V, ID= 2.0A
Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)=5.0 @VGS = 10V
Qg(typ.) = 10.9nC
MAXIMUM RATING (Tc=25 )
CHARACTERISTIC
RATING
SYMBOL
KHB2D0N60F UNIT
KHB2D0N60P
KHB2D0N60F2
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDSS
VGSS
600 V
30 V
@TC=25
Drain Current @TC=100
Pulsed (Note1)
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Drain Power
Dissipation
Tc=25
Derate above25
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
ID
IDP
EAS
EAR
dv/dt
PD
Tj
Tstg
2.0 2.0*
1.2 1.2*
8.0 8.0*
120
5.4
5.5
54 23
0.43 0.18
150
-55 150
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/
Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC
2.32
Thermal Resistance, Case-to-Sink
RthCS
0.5
Thermal Resistance, Junction-to-
Ambient
RthJA
62.5
* : Drain current limited by maximum junction temperature.
5.5 /W
- /W
62.5 /W
PIN CONNECTION
D
G
2007. 5. 10
S
Revision No : 0
KHB2D0N60P/F/F2
N CHANNEL MOS FIELD
EFFECT TRANSISTOR
KHB2D0N60P
A
E
I
K
M
D
NN
F
G
B
Q
L
J
O
C
P
H
123
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 9.9 +_ 0.2
B 15.95 MAX
C 1.3+0.1/-0.05
D 0.8 +_ 0.1
E 3.6 +_ 0.2
F 2.8 +_ 0.1
G 3.7
H 0.5+0.1/-0.05
I 1.5
J 13.08 +_ 0.3
K 1.46
L 1.4 +_ 0.1
M 1.27 +_ 0.1
N 2.54 +_ 0.2
O 4.5 +_ 0.2
P 2.4 +_ 0.2
Q 9.2 +_ 0.2
TO-220AB
KHB2D0N60F
AC
E
LM
D
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.16 +_ 0.2
B 15.87 +_ 0.2
C 2.54 +_ 0.2
D 0.8 +_ 0.1
E 3.18 +_ 0.1
F 3.3 +_ 0.1
G 12.57 +_ 0.2
H 0.5 +_ 0.1
J 13.0 MAX
K 3.23 +_ 0.1
L 1.47 MAX
M 1.47 MAX
N 2.54 +_ 0.2
O 6.68 +_ 0.2
Q 4.7 +_ 0.2
R 2.76 +_ 0.2
TO-220IS (1)
KHB2D0N60F2
AC
S
E
LL
M
DD
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.0 +_0.3
B 15.0+_ 0.3
C 2.70+_ 0.3
D 0.76+0.09/-0.05
E Φ3.2 +_0.2
F 3.0+_0.3
G 12.0 +_0.3
H 0.5+0.1/-0.05
J 13.6 +_0.5
K 3.7+_ 0.2
L 1.2+0.25/-0.1
M 1.5+0.25/-0.1
N 2.54 +_0.1
P 6.8 +_0.1
Q 4.5+_ 0.2
R 2.6+_ 0.2
S 0.5 Typ
TO-220IS
1/7




2D0N60F pdf, 반도체, 판매, 대치품
KHB2D0N60P/F/F2
700
600
500
400
300
200
100
0
10-1
Fig7. C - VDS
Frequency = 1MHz
Ciss
Coss
Crss
100 101
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig9. Safe Operation Area
(KHB2D0N60P)
Operation in this
101 area is limited by RDS(ON)
100µs
100 1µs
10µs
10-1
DC
Tc= 25 C
Tj = 150 C
Single nonrepetitive pulse
10-2
100 101
102
103
Drain - Source Voltage VDS (V)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
25
Fig11. ID - Tj
50 75 100 125
Junction Temperature Tj ( C)
150
2007. 5. 10
Revision No : 0
12
ID=2.0A
10
8
6
Fig8. Qg - VGS
VDS = 120V
VDS = 300V
VDS = 480V
4
2
0
02468
Gate - Charge Qg (nC)
10
Fig10. Safe Operation Area
(KHB2D0N60F,KHB2D0N60F2)
101
100
Operation in this
area is limited by RDS(ON)
100 µs
10 µs 1µs
100 µs
DC
10-1
Tc= 25 C
Tj = 150 C
10-2 Single nonrepetitive pulse
100 101
102
103
Drain - Source Voltage VDS (V)
4/7

4페이지










2D0N60F 전자부품, 판매, 대치품
KHB2D0N60P/F/F2
Fig17. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt
IF
0.8 VDSS
10V
DUT
driver
VGS
VDS
ISD
(DUT)
IS
Body Diode Forword Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
VDS
(DUT)
Body Diode Recovery dv/dt
VSD
VDD
Body Diode Forword Voltage drop
2007. 5. 10
Revision No : 0
7/7

7페이지


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