A1931 - Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

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A1931 기능

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Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

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Toshiba

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TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT PROCESS)

2SA1931

High-Current Switching Applications

2SA1931

Unit: mm

• Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max)

• High-speed switching time: tstg = 1.0 µs (typ.)

• Complementary to 2SC4881

Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Collector power

dissipation

Ta = 25°C

Tc = 25°C

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg

Rating

−60

−50

−7

−5

−1

2.0

150

−55 to 150

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

Unit

°C

JEDEC

―

JEITA

SC-67

TOSHIBA

2-10R1A

Weight: 1.7 g (typ.)

Characteristic

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Collector-emitter breakdown voltage

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

Switching time Storage time

Fall time

Symbol

Test Conditions

Min

ICBO

IEBO

V (BR) CEO

hFE (1)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE (sat)

Cob

VCB = −50 V, IE = 0

VEB = −7 V, IC = 0

IC = −10 mA, IB = 0

VCE = −1 V, IC = 1 A

VCE = −1 V, IC = −3 A

IC = −2 A, IB = −0.2 A

VCB = −1 V, IC = −1 A

VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz

ton 20 µs Input IB2 Output

IB2 IB1

tstg VCC = −30 V

―

−50

100

―

−IB1 = IB2 = 0.15 A, duty cycle ≤ 1%

tf ―

Typ.

―

−0.2

−0.9

100

0.1

1.0

0.1

Max

−1

―

300

―

−0.4

−1.5

―

Unit

µA

MHz

―

― µs

―

1 2005-07-27

2SA1931

4 2005-07-27

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A1930	PNP Transistor - 2SA1930	Toshiba Semiconductor
A1931	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor	Toshiba

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