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K2391 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K2391은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K2391 자료 제공

부품번호 K2391 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


K2391 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K2391 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2391
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV)
2SK2391
Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive
Applications
Unit: mm
l 4 V gate drive
l Low drainsource ON resistance : RDS (ON) = 66 m(typ.)
l High forward transfer admittance : |Yfs| = 16 S (typ.)
l Low leakage current
: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 100 V)
l Enhancementmode
: Vth = 0.8~2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drainsource voltage
Draingate voltage (RGS = 20 k)
Gatesource voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
100
100
±20
20
80
35
208
20
3.5
150
55~150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1B
Weight: 1.9 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to
ambient
Rth (chc)
Rth (cha)
3.57
62.5
°C / W
°C / W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 25 V, Tch = 25°C (initial), L = 840 µH, RG = 25 , IAR = 20 A
Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel temperature.
This transistor is an electrostatic sensitive device.
Please handle with caution.
1 2002-02-06




K2391 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK2391
4 2002-02-06

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