|
|
|
부품번호 | 3DD13009 기능 |
|
|
기능 | NPN Transistor | ||
제조업체 | LGE | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
3DD13009(NPN)
TO-220 Transistor
1. BASE
TO-220
2. COLLECTOR
Features
3
2
1
power switching applications
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
700
400
9
12
2
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
℃
℃
Dimensions in inches and (millimeters)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Fall time
Storage time
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
tf
ts
Test conditions
IC =1mA, IE=0
IC=10mA, IB=0
IE= 1mA, IC=0
VCB=700V,IE=0
VCE=400V,IB=0
VEB=9V, IC=0
VCE=5V, IC=3A
IC=8A,IB=1.6A
IC=8A, IB=1.6A
VCE=10V,Ic=500mA,
f =1MHz
IC=8A, IB1=-IB2=1.6A
VCC=125V
MIN TYP MAX UNIT
700 V
400 V
9V
100 µA
100 µA
100 µA
8 40
1.5 V
1.6 V
4 MHz
0.9 µs
4 µs
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 3DD13009.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD13001 | TRANSISTOR | Jiangsu Changjiang Electronics |
3DD13001 | Plastic-Encapsulated Transistors | TRANSYS Electronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |