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BSM200GB120DLC 데이터시트 PDF




eupec에서 제조한 전자 부품 BSM200GB120DLC은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSM200GB120DLC 자료 제공

부품번호 BSM200GB120DLC 기능
기능 IGBT Module
제조업체 eupec
로고 eupec 로고


BSM200GB120DLC 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSM200GB120DLC 데이터시트, 핀배열, 회로
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
vorläufige Daten
preliminary data
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
1200
200
420
400
V
A
A
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot 1,3 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
VGES
IF
+/- 20V
200
V
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
IFRM
I2t
VISOL
400 A
- kA2s
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 8mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Mark Münzer
approved by: Jens Thurau
date of publication: 02.12.1998
revision: 1a
VCE sat
min.
-
-
typ.
2,1
2,4
max.
2,6
V
V
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
QG - - - µC
Cies - 13 - nF
Cres
-
-
- nF
ICES - 0,02 0,5 mA
- 0,5
mA
IGES
-
- 400 nA
1(8)
DB_BSM200GB120DLC.xls




BSM200GB120DLC pdf, 반도체, 판매, 대치품
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
400
350
300
Tj = 25°C
Tj = 125°C
250
200
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
VCE [V]
IC = f (VCE)
VGE = 15V
vorläufige Daten
preliminary data
2,5 3,0 3,5 4,0
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
400
350
300
250
200
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V]
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
3,5 4,0 4,5
5,0
4(8)
DB_BSM200GB120DLC.xls

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BSM200GB120DLC 전자부품, 판매, 대치품
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
ZthJC = f (t)
vorläufige Daten
preliminary data
0,1
0,01 Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [sec] : Diode
0,1
1
40,08
0,006
49,13
0,006
1
t [sec]
2
30,51
0,029
73,21
0,035
10
3
19,37
0,043
37,92
0,033
100
4
0,04
1,014
19,74
0,997
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
450
400
350
300
IC,Modul
250
IC,Chip
200
150
100
50
0
0 200 400 600 800
VGE = 15V, Rg = 4,7 Ohm, T vj= 125°C
1000
1200
1400
VCE [V]
7(8)
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