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BT131-800D 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BT131-800D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BT131-800D 자료 제공

부품번호 BT131-800D 기능
기능 Triacs logic level
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BT131-800D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BT131-800D 데이터시트, 핀배열, 회로
BT131 series D and E
Triacs logic level
Rev. 3 — 3 November 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Passivated, sensitive gate triacs in a SOT54 plastic package.
1.2 Features and benefits
Designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and
other low power gate trigger circuits.
1.3 Applications
General purpose switching and phase control
1.4 Quick reference data
VDRM 600 V (BT131-600D)
VDRM 800 V (BT131-800D)
IT(RMS) 1 A
VDRM 600 V (BT131-600E)
VDRM 800 V (BT131-800E)
ITSM 12.5 A
2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
Pinning
Description
main terminal 2 (T2)
gate (G)
main terminal 1 (T1)
Simplified outline
Symbol
T2
sym051
T1
G
321
SOT54 (TO-92)




BT131-800D pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT131 series D and E
Triacs logic level
103
ITSM
(A)
102
(1)
003aab040
IT ITSM
t
T
Tj = 25 °C max
(2)
10
105
104
103
102
tp (s)
101
tp 20 ms
(1) dIT/dt limit
(2) T2G+ quadrant
Fig 3. Non-repetitive peak on-state current as a function of pulse duration for sinusoidal currents; maximum
values
3
IT(RMS)
(A)
2
003aab042
1.2
IT(RMS)
(A)
0.8
003aab039
51.2 °C
1 0.4
0
102
101
1 10
surge duration (s)
Fig 4.
f = 50 Hz; Tlead 51.2 C
RMS on-state current as a function of surge
duration, for sinusoidal currents; maximum
values
0
50 0 50 100 150
Tlead (°C)
(1) Tlead = 51.2 C
Fig 5. RMS on-state current as a function of lead
temperature; maximum values
BT131_SER_D_E
Product data sheet
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BT131-800D 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT131 series D and E
Triacs logic level
1.6
VGT(Tj)
VGT(25°C)
1.2
0.8
003aab043
3
IGT(Tj)
IGT(25°C)
(1)
2
(2)
(3)
(4)
1
003aab044
0.4
50
0
50 100 150
Tj (°C)
Fig 7. Normalized gate trigger voltage as a function
of junction temperature
0
50 0
(4)
(3)
(2)
(1)
50 100 150
Tj (°C)
(1) T2G+
(2) T2G
(3) T2+ G
(4) T2+ G+
Fig 8. Normalized gate trigger current as a function
of junction temperature
2
IT
(A)
1.6
1.2
003aab037
3
IL
IL(25°C)
2
001aab100
0.8 (1)
(2)
(3)
0.4
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 VT (V) 2
Vo = 0.92 V
Rs = 0.4 .
(1) Tj = 125 C; typical values
(2) Tj = 125 C; maximum values
(3) Tj = 25 C; maximum values
Fig 9. On-state current characteristics
1
0
50 0
50 100 150
Tj (°C)
Fig 10. Normalized latching current as a function of
junction temperature
BT131_SER_D_E
Product data sheet
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