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3DG8050M 데이터시트 PDF




FOSHAN BLUE ROCKET에서 제조한 전자 부품 3DG8050M은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3DG8050M 자료 제공

부품번호 3DG8050M 기능
기능 SILICON NPN TRANSISTOR
제조업체 FOSHAN BLUE ROCKET
로고 FOSHAN BLUE ROCKET 로고


3DG8050M 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3DG8050M 데이터시트, 핀배열, 회로
S8050M(3DG8050M)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于功率放大电路。/Purpose: Power amplifier applications.
特点:与 S8550M(3CG8550M)互补。/Features: Complementary pair with S8550M(3CG8550M).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 40 V
VCEO 25 V
VEBO 6.0 V
IC 800 mA
IB 200 mA
PC 450 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
Symbol
Test condition
最小值
Min
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
hFE(3)
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE
fT
Cob
IC=0.1mA
IC=2.0mA
IE=0.1mA
VCB=35V
VEB=6.0V
VCE=1.0V
VCE=1.0V
VCE=1.0V
IC=500mA
IC=500mA
VCE=1.0V
VCE=10V
VCB=10V
IE=0
IB=0
IC=0
IE=0
IC=0
IC=100mA
IC=500mA
IC=5.0mA
IB=50mA
IB=50mA
IC=10mA
IC=50mA
IE=0 f=1.0MHz
40
25
6.0
85
40
45
100
hFE(1)分档、印章/hFE(1) Classifications、Marking:
hFE(1)分档
hFE(1) Classifications
B
C
hFE(1)范围
hFE(1) Range
85~160
120~200
印章
Marking
HY3B
HY3C
数值
Rating
典型值
Typ
最大值
Max
0.1
0.1
300
0.28
0.98
0.66
190
9.0
0.5
1.2
1.0
D
160~300
HY3D
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
V
V
MHz
pF
佛山市蓝箭电子有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.





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다운로드[ 3DG8050M.PDF 데이터시트 ]

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