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GTL2010PWDH 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 GTL2010PWDH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GTL2010PWDH 자료 제공

부품번호 GTL2010PWDH 기능
기능 10-bit GTL Processor Voltage Clamp
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


GTL2010PWDH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GTL2010PWDH 데이터시트, 핀배열, 회로
INTEGRATED CIRCUITS
GTL2010
10-bit GTL Processor Voltage Clamp
Product specification
1999 Apr 05
Philips
Semiconductors




GTL2010PWDH pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
10-bit GTL Processor Voltage Clamp
Product specification
GTL2010
DC CHARACTERISTICS for VDD1 = 3.0 to 3.6V; VDD2 = 2.36 to 2.64V; VREF = 1.365 to 1.635V range
Over recommended operating conditions. Voltage are referenced to GND (ground = 0V). Refer to the Test Circuit diagram.
LIMITS
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
Tamb = 0°C to +85°C
Min Typ1 Max
VOL LOW level output voltage
VS = 0.175V; ICLAMP = 15.2mA
NOTE:
1. All typical values are measured at VDD1 = 3.3V, VDD2 = 2.5V, VREF = 1.5V and Tamb = 25 C
260 350
UNIT
mV
AC CHARACTERISTICS for VDD1 = 3.0 to 3.6V; VDD2 = 2.36 to 2.64V; VREF = 1.365 to 1.635V range
GND = 0V; tr = tf 3.0ns Refer to the Test Circuit diagram.
LIMITS
SYMBOL
PARAMETER
WAVEFORM
Tamb = 0 to +85°C
MIN TYP1 MAX
UNIT
tPLH2
Propagation delay
Sn to Dn; Dn to Sn
0.5 1.5 5.5
NOTE:
1. All typical values are measured at VDD1 = 3.3V, VDD2 = 2.5V, VREF = 1.5V and Tamb = 25 C
2. Propagation delay guaranteed by characterization
3. CON,MAX of 30pF and a COFF,MAX of 15pF is guaranteed by design
ns
AC WAVEFORMS
VI
INPUT
GND
VDD2
OUTPUT
HIGH-to-LOW
LOW-to-HIGH
VOL
VDD2
OUTPUT
HIGH-to-LOW
LOW-to-HIGH
VOL
VM
tPHL0
VM
tPHL
tPHL1
VM
VM
tPLH0
VM
tPLH
tPLH1
VM
TEST CIRCUIT
VDD1
VDD2
200K
150Ω
DREF
GREF
D1
VDD2
150Ω
DUT
D10
VDD2
150Ω
SREF
S1 S10
SA00524
Waveform 1. The Input (Sn) to Output (Dn) Propagation Delays
VREF
PULSE
GENERATOR
Waveform 2. Load circuit
SA00525
1999 Apr 05
4

4페이지












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