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TFZ8.2B 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TFZ8.2B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TFZ8.2B 자료 제공

부품번호 TFZ8.2B 기능
기능 Zener diode
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


TFZ8.2B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TFZ8.2B 데이터시트, 핀배열, 회로
Zener diode
TFZ series
Applications
Voltage regulation
Features
1) Small power mold type (TUMD2)
2) High reliability
3) By chip-mouter,
automatic mouting is possible.
Construction
Silicon epitaxial planer
Data Sheet
Dimensions (Unit : mm)
1.3±0.05
0.17±0.1
   0.05
Land size figure (Unit : mm)
1.1
TUMD2
Structure
0.8±0.05
ROHM : TUMD2
0.6±0.2
    0.1
dot (year week factory) + day
EX. TFZ3.6B
Taping dimensions (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05
φ1.55±0.1
      0
0.25±0.05
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Power dissipation
P
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Operating resistance
Topr
1.43±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.2
     0
Limits
500
150
55 to 150
55 to 150
Unit
mW
°C
°C
°C
0.9±0.08
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2011.10 - Rev.A




TFZ8.2B pdf, 반도체, 판매, 대치품
TFZ3.6B
  Data Sheet
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
1234
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
5
1000
f=1MHz
100
10
0
0.2 0.4 0.6 0.8
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
1
500
Ta=25°C
450 VR=1.0V
n=30pcs
400
350
300
AVE:308.7nA
250
200
IR DISRESION MAP
1000
100
Ta=125°C
10
1 Ta=75°C
Ta=25°C
0.1
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
REVERSE VOLTAGEVR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
1
3.9
3.85
Ta=25°C
IZ=20mA
n=30pcs
3.8
3.75
AVE:3.781V
3.7
Vz DISRESION MAP
400
Ta=25°C
f=1MHz
380 VR=0V
n=10pcs
360
AVE:370.5pF
340
320
300
Ct DISRESION MAP
www.rohm.com
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2011.10 - Rev.A

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