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부품번호 | BDX53F 기능 |
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기능 | Silicon NPN Darlington Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
BDX53F
DESCRIPTION
·Collector Current -IC= 8A
·High DC Current Gain-
: hFE= 500(Min)@ IC= 2A
·Complement to Type BDX54F
APPLICATIONS
·Designed for use in power linear and switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCER
Collector-Emitter Voltage
160 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
160 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
8A
ICM Collector Current-Peak
12 A
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
0.2
60
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2.08 ℃/W
70 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BDX53F.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BDX53 | POWER TRANSISTORS(8A./45-100V/60W) | Mospec Semiconductor |
BDX53 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS | Power Innovations Limited |
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