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2SD357 데이터시트 PDF




INCHANGE에서 제조한 전자 부품 2SD357은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SD357 자료 제공

부품번호 2SD357 기능
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 INCHANGE
로고 INCHANGE 로고


2SD357 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SD357 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD357
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SB527
APPLICATIONS
·Designed for AF high power dirver applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
110 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
100 V
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ Ta=25
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
0.8 A
1
W
10
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1





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다운로드[ 2SD357.PDF 데이터시트 ]

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