Datasheet.kr   

GLT5640L32-7 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 GLT5640L32-7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GLT5640L32-7 자료 제공

부품번호 GLT5640L32-7 기능
기능 CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


GLT5640L32-7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 30 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

GLT5640L32-7 데이터시트, 핀배열, 회로
G-LINK
ADVANCED
GLT5640L32
CMOS Synchronous DRAM
2M x 32 SDRAM
512K x 32bit x 4Banks
Synchronous DRAM
G-Link Technology Corporation
G-Link Technology Corporation,TaiwanWeb :
www.glink.com.tw Email : [email protected]
TEL : 886-2-26599658
GLINK reserves the right to change products or specification without notice.
G-Link Technology Corp.
1
Dec 2003 Rev.0.3




GLT5640L32-7 pdf, 반도체, 판매, 대치품
G-LINK
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)
ADVANCED
GLT5640L32
CMOS Synchronous DRAM
VDD 1
86 VSS
DQ0 2
85 DQ15
VDDQ 3
84 VSSQ
DQ1 4
83 DQ14
DQ2 5
82 DQ13
VSSQ 6
81 VDDQ
DQ3 7
80 DQ12
DQ4 8
79 DQ11
VDDQ 9
78 VSSQ
DQ5 10
77 DQ10
DQ6 11
76 DQ9
VSSQ 12
75 VDDQ
DQ7 13
74 DQ8
N.C 14
73 N.C
VDD 15
72 VSS
DQM0 16
71 DQM1
/WE 17
70 N.C
/CAS 18 86Pin TSOP (II) 69 N.C
/RAS 19 0.5 mm Pin pitch 68 CLK
/CS 20 (400mil x 875mil) 67 CKE
N.C 21
66 A9
BA0 22
65 A8
BA1 23
64 A7
A10/AP 24
63 A6
A0 25
62 A5
A1 26
61 A4
A2 27
60 A3
DQM2 28
59 DQM3
VDD 29
58 VSS
N.C 30
57 N.C
DQ16 31
56 DQ31
VSSQ 32
55 VDDQ
DQ17 33
54 DQ30
DQ18 34
53 DQ29
VDDQ 35
52 VSSQ
DQ19 36
51 DQ28
DQ20 37
50 DQ27
VSSQ 38
49 VDDQ
DQ21 39
48 DQ26
DQ22 40
47 DQ25
VDDQ 41
46 VSSQ
DQ23 42
45 DQ24
VDD 43
44 VSS
G-Link Technology Corp.
4
Dec 2003 Rev.0.3

4페이지










GLT5640L32-7 전자부품, 판매, 대치품
G-LINK
ADVANCED
GLT5640L32
CMOS Synchronous DRAM
DC CHARACTERISTICS (DC Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
Operating Current
Precharge Standby Current
in Power-down Mode
Precharge Standby Current
in Non Power-down Mode
Active Standby Current in
Power-down Mode
Active Standby Current in
Non Power-down Mode
Operating Current
(Burst Mode)
Operating Current
Self Refresh Current
Notice :
SYM.
IDD1
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
IDD3N
IDD3NS
IDD4
IDD5
IDD6
TEST CONDITION
BURST Length = 1, One Bank Active
tRAS tRAS(min), tRP tRP(min)
IOL = 0 mA
SPEED
UNIT NOTE
5 -5.5 -6 -7 -8 -10
230 220 200 1800 170 150 mA
1
CKE VIL(max), tCK = 15ns
CKE VIL(max), tCK=
2 mA -
2 mA -
CKE VIH(min), CS VIH(min), tCK= 15ns
Input signals are changed on time during 2CKLS
All this pins VDD - 0.2 or 0.2V
30
CKE VIH(min), tCK=
Input signals are stable
CKE VIL(max), tCK = 15ns
20
15
CKE VIL(max), tCK=
15
CKE VIH(min), CS VIH(min), tCK=15ns
Input signals are changed on time during 2CLKS
All other pin VDD - 0.2V or 0.2V
60
CKE VIH(min), tCK=
Input signals are stable
50
tCK tCK(min)
tRAS tRAS(min), IOL = 0 mA
All Bank Active
CL=3 440 410 380 340 300 250
CL=2 - - - - 250 200
tRRC tRRC(min) All banks active
250 240 220 200 190 180
CKE 0.2V
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
1
2
3
1. IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open
2. Min. of tRRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II
3. GLT5640L32-5/5.5/6/7/8/10
G-Link Technology Corp.
7
Dec 2003 Rev.0.3

7페이지


구       성 총 30 페이지수
다운로드[ GLT5640L32-7.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
GLT5640L32-10

CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM

ETC
ETC
GLT5640L32-5

CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM

ETC
ETC

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵