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IKD06N60R 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IKD06N60R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IKD06N60R 자료 제공

부품번호 IKD06N60R 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IKD06N60R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IKD06N60R 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage
IKD06N60R
600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
Datasheet
IndustrialPowerControl




IKD06N60R pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
Maximumratings
Parameter
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
Turn off safe operating area
VCE600V,Tvj175°C,tp=1µs
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC400V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: 1.0s
Tvj=150°C
PowerdissipationTC=25°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
reflow soldering (MSL1 according to JEDEC J-STA-020)
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
tSC
Ptot
Tvj
Tstg
Value
600
12.0
6.0
18.0
18.0
12.0
6.0
18.0
±20
5
100.0
-40...+175
-55...+150
260
Unit
V
A
A
A
A
A
V
µs
W
°C
°C
°C
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,1)
junction - case
Diode thermal resistance,2)
junction - case
Thermal resistance, min. footprint
junction - ambient
Thermal resistance, 6cm² Cu on
PCB
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
1.50 K/W
3.60 K/W
75 K/W
50 K/W
1) Rth/Zth based on single cooling pulse. Please be aware that a correct Rth measurement of the IGBT, is not possible using a thermocouple.
2) Rth/Zth based on single cooling pulse. Please be aware that a correct Rth measurement of the Diode, is not possible using a thermocouple.
4 Rev.2.5,2014-03-12

4페이지










IKD06N60R 전자부품, 판매, 대치품
IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
4
10
3
tp=1µs
50µs
2 20µs
1 10µs
200µs
1 500µs
DC
0
0.1 1 10 100
f,SWITCHINGFREQUENCY[kHz]
Figure 1. Collectorcurrentasafunctionofswitching
frequency
(Tvj175°C,Ta=55°C,D=0.5,VCE=400V,
VGE=15/0V,rG=23,PCBmounting,6cm2
Cu, Ptot=2,4W)
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 2. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tvj175°C;VGE=15V)
110
100
12
90
80 10
70
60 8
50 6
40
30 4
20
2
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj175°C)
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 4. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
7 Rev.2.5,2014-03-12

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