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GS70328SJ-12 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 GS70328SJ-12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GS70328SJ-12 자료 제공

부품번호 GS70328SJ-12 기능
기능 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


GS70328SJ-12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GS70328SJ-12 데이터시트, 핀배열, 회로
SOJ, TSOP
Commercial Temp
Industrial Temp
32K x 8
256Kb Asynchronous SRAM
GS70328SJ/TS
7, 8, 10, 12, 15 ns
3.3 V VDD
Corner VDD and VSS
Features
• Fast access time: 7, 8, 10, 12, 15 ns
• 75/65/50/50/50 mA at max cycle rate
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply
• All inputs and outputs are TTL-compatible
• Fully static operation
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C
• Package line up
SJ: 300 mil, 28-pin SOJ package
TS: 8 mm x 13.4 mm, 28-pin TSOP Type I package
Pin Descriptions
Symbol
A0–A14
DQ1–DQ8
CE
WE
Description
The GS70328 is a high speed CMOS static RAM organized as
32,763 words by 8 bits. Static design eliminates the need for
external clocks or timing strobes. The GS70328 operates on a
single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are TTL-
compatible. The GS70328 is available in 300 mil, 28-pin SOJ
and 8 x 13.4 mm2, 28-pin TSOP Type-I packages.
OE
VDD
VSS
NC
Pin Configuration
Top view
A14 1
A12 2
28 VDD
27 WE
A7 3
26 A13
A6 4
25
A5 5
24
A4 6 28-pin 23
A3 7
22
300 mil
A2 8
21
A1 9 SOJ 20
A0 10
19
DQ1 11
18
DQ2 12
17
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ8
DQ7
DQ6
OE 1
A11 2
A9 3
A8 4
A13 5
WE 6
VDD 7
A14 8
A12 9
A7 10
A6 11
A5 12
A4 13
A3 14
DQ3 13
16 DQ5
VSS 14
15 DQ4
Description
Address input
Data input/output
Chip enable input
Write enable input
Output enable input
+3.3 V power supply
Ground
No connect
28- pin
8 x 13.4 TSOP I
28 A10
27 CE
26 DQ8
25 DQ7
24 DQ6
23 DQ5
22 DQ4
21 VSS
20 DQ3
19 DQ2
18 DQ1
17 A0
16 A1
15 A2
Rev: 1.10 10/2002
1/12
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
© 1999, Giga Semiconductor, Inc.




GS70328SJ-12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
GS70328SJ/TS
Power Supply Currents
0 to 70°C
-40 to 85°C
Parameter Symbol Test Conditions
7 ns 8 ns 10 ns 12 ns 15 ns 7 ns 8 ns 10 ns 12 ns 15 ns
Operating
Supply
Current
IDD
CE VIL
All other inputs
VIH or VIL
Min. cycle time
IOUT = 0 mA
75 mA 65 mA 50 mA 50 mA 50 mA 80 mA 70 mA 55 mA 55 mA 55 mA
Standby
Current
ISB1
CE VIH
All other inputs
VIH or VIL
Min. cycle time
35 mA 30 mA 25 mA 25 mA 25 mA 40 mA 35 mA 30 mA 30 mA 30 mA
Standby
Current
CE VDD – 0.2 V
ISB2
All other inputs
VDD – 0.2 V or
0.2 V
1 mA
2 mA
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input rise time
Input fall time
Input reference level
Output reference level
Output load
VIH = 2.4 V
VIL = 0.4 V
tr = 1 V/ns
tf = 1 V/ns
1.4 V
1.4 V
Fig. 1& 2
Notes:
1. Include scope and jig capacitance
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted
3. Output load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ
Output Load 1
DQ
5030pF1
VT = 1.4 V
Output Load 2
3.3 V
DQ 589
5pF1 434
Rev: 1.10 10/2002
4/12
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
© 1999, Giga Semiconductor, Inc.

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GS70328SJ-12 전자부품, 판매, 대치품
GS70328SJ/TS
Write Cycle
Parameter
Write cycle time
Address valid to end of write
Chip enable to end of write
Data set up time
Data hold time
Write pulse width
Address set up time
Write recovery time (WE)
Write recovery time (CE)
Output Low Z from end of write
Write to output in High Z
Symbol
tWC
tAW
tCW
tDW
tDH
tWP
tAS
tWR
tWR1
tWLZ*
tWHZ*
-7
Min Max
7—
5—
5—
3.5 —
0—
5—
0—
0—
0—
2—
—3
* These parameters are sampled and are not 100% tested
-8
Min Max
8—
5.5 —
5.5 —
4—
0—
5.5 —
0—
0—
0—
2—
— 3.5
-10
Min Max
10 —
7—
7—
5—
0—
7—
0—
0—
0—
2—
—4
-12
Min Max
12 —
10 —
10 —
7—
0—
10 —
0—
0—
0—
3—
—5
-15
Min Max
15 —
13 —
13 —
10 —
0—
13 —
0—
0—
0—
3—
—5
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev: 1.10 10/2002
7/12
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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