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GI508 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 GI508은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GI508 자료 제공

부품번호 GI508 기능
기능 GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


GI508 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GI508 데이터시트, 핀배열, 회로
GI500 THRU GI510
GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 3.0 Amperes
DO-201AD
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
High surge current capability
Typical IR less than 0.1µA
Construction utilizes
void-free molded plastic technique
High current operation of 3.0 Amperes
at TA=95°C with no thermal runaway
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.04 ounce, 1.1 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at TA= 95°C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
SYMBOLS
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
GI
500
50
35
50
GI GI GI GI
501 502 504 506
GI
508
GI
510 UNITS
100 200 400 600 800 1000 Volts
70 140 280 420 560 700 Volts
100 200 400 600 800 1000 Volts
3.0 Amps
IFSM
100.0
Amps
Maximum instantaneous forward voltage TJ= 25°C
at 9.4A
TJ=175°C
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA=25°C
TA=100°C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical reverse recovery time (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
VF
IR
CJ
trr
RΘJA
RΘJL
TJ
TSTG
1.1
1.0
5.0
50.0
28.0
2.0
20.0
5.0
-50 to +150
-50 to +175
Volts
µA
pF
µs
°C/W
°C
°C
NOTES:
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(2) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
(3) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
with 0.8 x 0.8” (20 x 20mm) copper heatsinks
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