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C941TM 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 C941TM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 C941TM 자료 제공

부품번호 C941TM 기능
기능 NPN Transistor - 2SC941TM
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


C941TM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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C941TM 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC941TM
2SC941TM
High Frequency Amplifier Applications
AM High Frequency Amplifier Applications
AM Frequency Converter Applications
Unit: mm
· Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
35
30
4
100
20
400
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43
TOSHIBA
2-5F1B
Weight: 0.21 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Reverse transfer capacitance
Collector-base time constant
Noise figure
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
IEBO
VEB = 2 V, IC = 0
hFE
VCE = 12 V, IC = 2 mA
(Note)
VCE (sat)
VBE (sat)
fT
Cre
Ccrbb’
NF
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 10 mA, IB = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 2 mA
VCE = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
VCE = 10 V, IE = -1 mA, f = 30 MHz
VCE = 10 V, IE = -1 mA, f = 1 MHz,
Rg = 50 W
Note: hFE classification R: 40~80, O: 70~140, Y: 120~240
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ 0.1 mA
¾ ¾ 1.0 mA
40 ¾ 240
¾ ¾ 0.4 V
¾ ¾ 1.0 V
80 120 ¾ MHz
¾ 2.2 3.0 pF
¾ 30 50 ps
¾ 2.0 3.5 dB
1 2003-03-24




C941TM pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SC941TM
4 2003-03-24

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