|
|
|
부품번호 | C941TM 기능 |
|
|
기능 | NPN Transistor - 2SC941TM | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC941TM
2SC941TM
High Frequency Amplifier Applications
AM High Frequency Amplifier Applications
AM Frequency Converter Applications
Unit: mm
· Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
35
30
4
100
20
400
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43
TOSHIBA
2-5F1B
Weight: 0.21 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Reverse transfer capacitance
Collector-base time constant
Noise figure
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
IEBO
VEB = 2 V, IC = 0
hFE
VCE = 12 V, IC = 2 mA
(Note)
VCE (sat)
VBE (sat)
fT
Cre
Cc・rbb’
NF
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 10 mA, IB = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 2 mA
VCE = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
VCE = 10 V, IE = -1 mA, f = 30 MHz
VCE = 10 V, IE = -1 mA, f = 1 MHz,
Rg = 50 W
Note: hFE classification R: 40~80, O: 70~140, Y: 120~240
Min Typ. Max Unit
¾ ¾ 0.1 mA
¾ ¾ 1.0 mA
40 ¾ 240
¾ ¾ 0.4 V
¾ ¾ 1.0 V
80 120 ¾ MHz
¾ 2.2 3.0 pF
¾ 30 50 ps
¾ 2.0 3.5 dB
1 2003-03-24
2SC941TM
4 2003-03-24
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ C941TM.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
C941TM | NPN Transistor - 2SC941TM | Toshiba Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |