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부품번호 | 2SC4905 기능 |
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기능 | Silicon NPN Bipolar Transistor | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
2SC4905
Silicon NPN Bipolar Transistor
Application
VHF & UHF wide band amplifire
Features
• High gain bandwidth product
fT = 5.8 GHz typ
• High gain, low noise figure
PG = 12.0 dB typ,
NF = 1.6 dB typ at f = 900 MHz
CMPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Collector to base voltage
VCBO
20
V
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter voltage
VCEO
12
V
———————————————————————————————————————————
Emitter to base voltage
VEBO
2
V
———————————————————————————————————————————
Collector current
IC 50 mA
———————————————————————————————————————————
Collector power dissipation
PC
100 mW
———————————————————————————————————————————
Junction temperature Tj 150 °C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
2SC4905
Power gain vs. collector current
20
VCE = 5V
f = 900 MHz
16
12
8
4
0
12
5 10 20
50
Collector Current I C (mA)
Noise figure vs. collector current
5
VCE = 5V
f = 900MHz
4
3
2
1
0
12
5 10 20
50
Collector Current I C (mA)
S21 parameter vs. collector current
20
VCE = 5V
f = 1 GHz
16
12
8
4
0
12
5 10 20
50
Collector Current I C (mA)
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC4900 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
2SC4901 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
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